✍ Scribed by Dipl.-Min. L. Däweritz
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Es wird die Struktur von AIIBVI-Epitaxieschichten diskutiert, wobei speziell auf eigene Untersuchungen an im Hochvakuum auf Spaltflachen von NaCl und CaF, aufgedampften CdSe-Schichten eingegangen wird.
Epitaxieschichten von AIIBvI-Verbindungen besitzen gewohnlich eine Defektstruktur infolge des Nebeneinandervorkommens der Zinkblende-und Wurtzitstruktur, orientierter Verwachsungen dieser beiden Phasen, Zwillingsbildung und Stapelfehler. Die sich ergebenden komplexen Beugungsbilder (fur Elektronenbeugung im Durchstrahlungsfall) werden diskutiert.
Orientierung, Struktur und Phasenzusammensetzung der Schichten werden neben anderen Faktoren entscheidend von der Art des Substrates, der Substrattemperatur und der Depositionsrate beeinfluat. Ein EinfluQ durch Abweichungen von der stochiometrischen Zusammensetzung ist in Betracht zu ziehen.
The structure of epitaxial films of AIIBYI-compounds is discussed. Especially the results of investigations concerning the epitaxy of CdSe on cleavage planes of NaCl and CaF, using high-vacuum evaporation are treated.
Epitaxial films of AIIBVI-compounds usually show defect structures due to the co-existence of the zincblende and wurtzite structures, oriented overgrowth of these two phases, twinning and stacking faults. The resulting complex diffraction patterns (for electron diffraction in transmission) are discussed.
The nature of the substrate, substrate temperature, and deposition rate besides experimental factors decisively influence the orientation, structure, and phase composition of the films. An influence of deviations from the stoichiometric composition has to be taken into account.
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## Abstract Es wird eine Übersicht über die Eigenschaften von Ionenaustauschern auf Kunstharz‐Basis, ihre Wirkungsgruppen und Strukturen sowie den dadurch bedingten praktischen Einsatz anhand von Beispielen aus der Literatur und aus eigenen Arbeiten gegeben. Behandelt werden nach einer kurzen gesch