Stress, Strain, and Symmetry of Pseudomorphically Grown Epitaxial Layers

✍ Scribed by Dr. A. Tempel; Dipl. Phys. M. Mäder

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1992
• Tongue: English
• Weight: 332 KB
• Volume: 27
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170270218

✦ Synopsis

Stress, Strain, and Symmetry of Pseudomorphically Grown Epitaxial Layers

The complete stress and strain tensors and the point symmetry of pseudomorphically grown epitaxial layers are calculated from the epitaxial relationship and the elastic constants of the deposit material. The angle misalignment of crystallographic directions in the deposit due to the strain is also calculated and results are given for the epitaxial systems CaF,/Si(100) and CaF,/Si( 11 1).

Fur den Fall pseudomorph verwachsener Epitaxieschichten werden bei bekanntem Verwachsungsgesetz und der Kenntnis der elastischen Konstanten des Depositmaterials Spannungs-und Dehnungstensor hergeleitet und die Punktsymmetrie der verzerrten Depositschicht angegeben. Die Winkelabweichung kristallographischer Richtungen durch die Verzerrung im Depositen wird berechnet und Ergebnisse fur die epitaktischen Systeme CaF,/(Si( 100) und CaF,/Si( 11 1) mitgeteilt.