Ein mchrstufigcsvcrfahrcnmit odcr o h n c Waschcnerfordcrt keinc Vervielfachung, sondern nur eine VcrgriiBerung der zcntralcn Anlagenkomponcnten, da dic cinzclncn Stufcn zeitlich versctzt im glcichcn Kristallisator durchgcfuhrt wcrdcn. Dic vcrschiedenen Zwischenfraktionen werden getrcnnt in Pufferbehaltern zwischengelagert. Dic Durchfuhrung modcrncr Schichtkristallisationsvcrfahrcn crfolgt vollautomatisch mit Hilfc ciner Ablaufstcuerung. Hierbei kommt es vor allem a u f cine exaktc Tcmpcraturfiihrung dcs Kuhlmcdiums an. Das erliiutcrtc Waschprinzip wurdc in cincr bcstchenden Produktionsanlagc dcr BASF rcalisicrt. Die Vcrfahrcnsbedingungen wurden auf der Basis von Laborversuchcn festgelcgt. Die Vcrfahrensumstcllungim wesentlichen nur cine Umprogrammicrung dcr Ablaufstcuerungcrfolgtc wihrcnd cincr routincmaBigcn Bctriebsabstellung. Die geforderte Produktspezifikation wird nun schon durch cine, statt bisher zwei Kristallisationsstufen erreicht. Bci anniihcrnd gleichblcibendcr Ausbeute wird cine Kapazitiitscrhlihung urn ca. 30% und cine Absenkung des spezifischen Energieaufwandcs in Bhnlicher GrliRcnordnung crreicht. Diese Ergebnissc bclcgen die praktischc Rclcvanz dcr vorgestcllten Uberlegungen. 4 SchluObemerkung Das Waschcn einer Kristallschicht kann infolgc dcr Abspul-und Diffusionsvorgangc zu einer drastischen Rcduzierung der mittlcrcn Vcrunrcinigungskonzentration fuhrcn. Es stellt damit sowohl cine geeignete MaRnahme zur Einsparung von Trcnnstufcn als auch cine Mijglichkcit zur Erziclung hochrcincr Produktc dar. Das vorgestclltc Konzept zur quantitativen Beschreibung des Wrischcffektes bci der Schichtkristallisation crmijglicht cs, mit rclativ gcringcm cxperimcntcllcn Aufwand die rclevantcn EinfluRparameter zu bcstimmcn. Die Ergcbnisfunktionen lasscn sich schr leicht in dic Modcllrcchnungen zum Design und zur Auslegung von Schichtkristallisationsvcrfahrcn cinbindcn 121. so dal3 nun auch die rcchnerischc Optimierung von Schichtkristallisationsverfahren mit Waschung miiglich ist.