Revealing of lattice defects on (111) faces of gallium phosphide and indium phosphide by chemical etching
✍ Scribed by Dr. G. Wagner; Dr. V. Gottschalch
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1988
- Tongue
- English
- Weight
- 750 KB
- Volume
- 23
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Revealing of Lattice Defects on (111) Faces of Gallium Phosphide and Indium Phosphide by Chemical Etching
Dedicated to Professor Hermann NEELS on the occasion of his 75th birthday A solution is presented suitable for revealing lattice defects on ( I l l ) phosphorous faces of GaP and InP. It is possible to distinguish between pits originated by grown-in dislocations and microdefects such as perfect loops, faulted loops and precipitates and/or inclusions. Moreover i t is also possible t o reveal large stacking faults of Shockley type and microtwin lamellae. One to one correlations have been given by means of transmission electron microscopy.
Es wird eine neue Losung vorgestellt, die auf (111) Flaclien von G a p und XnP Gitterdefekte anazt. Es ist moglich zwischen Versetzungen und Mikrodefekten wie vollstiindigen Versetzungsringen, unvollstandigen Versetzungsringen sowie Ausscheidungen und/oder Einschliissen zu unterscheiden. Neben ausgedehnten Stapelfehlern vom Shockley-Typ werden auch Mikro~willingslamellen und Korngrenzen angeiitzt. Eine exakte Korrelatiori der versehiedenen Atzerscheinungen mit den entspreehenden Gitterdefekten erfolgte mittels Transmissionselektronenmikroskopie.