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Raumtemperaturwachstum von Siliciumoxid-Nanofilmen: neue Chancen für die Plastikelektronik

✍ Scribed by Helmuth Hoffmann

Publisher
John Wiley and Sons
Year
2009
Tongue
English
Weight
500 KB
Volume
121
Category
Article
ISSN
0044-8249

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✦ Synopsis

Abstract

Eine neue Generation von Plastiktransistoren aus leichten, flexiblen organischen Materialien erfordert neue Fabrikationsmethoden auf Basis lösungschemischer Prozesse bei niedrigen Temperaturen, kombiniert mit einer präzisen Kontrolle der Bauteilabmessungen im nm‐Bereich. Ultradünne SiO‐Filme als Gate‐Dielektrika in diesen Transistoren wurden durch einen schichtweisen Abscheidungs‐/Oxidationsprozess aus Filmen einer Polymervorstufe hergestellt.magnified image

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Der von PEARSON [ 61 entwickelte Vierfelder-Korrelationskoeffizient weist drei wesentliche Vorzuge auf : 1. Er ist weitgehend unempfmdlich gegen die Fehler, die aus falsch angelegten MeBskalen quantifizierter Variabler resultieren, also unempfindlich gegen skedastische Fehler (CARROLL [I]) ;