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Quantitative Bestimmung der Zusammensetzung von Ga1−xAlxAs-Epitaxieschichten mit der Elektronenstrahl-Mikroanalyse (ESMA)

✍ Scribed by Dr. P. Streubel; G. Martius; Dr. K. Jacobs


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1974
Tongue
English
Weight
515 KB
Volume
9
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis


Abstract

Zur Ermittlung der Lokalkonzentrationen von Ga, Al und As in Ga~1−x~Al~x~As‐Epitaxieschichten aus den Röntgenstrahlintensitäten bei der ESMA wurden mehrere Korrekturverfahren überprüft. Die genauesten Ergebnisse werden durch Kombination der Methode von BIRKS für die Al‐Korrektur mit der Methode nach DUNCUMB/REED/SPRINGER für die Ga‐Korrektur erhalten. Dabei beträgt die relative mittlere Abweichung von 50% für die Summe der Gallium‐ und Aluminium‐Atomprozente nur −0,1%. In einem Anhang werden für den praktischen Gebrauch erforderliche Gleichungen zur gegenseitigen Umrechnung von Gewichts‐ und Konzentrationsangaben in dem betrachteten System angegeben.