Properties of Silicon. EMIS Datareviews Series No. 4. Einführung: C. Hilsum, Vorwort: T. H. Ning, INSPEC, The Institution of Electrical Engineering, London, New York 1988, 31 Kapitel, 1100 Seiten, 260 Datareviews, £ 195, ISBN 0-85296-4757

✍ Scribed by M. Balarin

• Book ID: 102130801
• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1989
• Tongue: English
• Weight: 79 KB
• Volume: 24
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170240410

✦ Synopsis

SILICIUM ist das voni Menschen am intensivsten untersuchte und uber die Mikroelektronik am gezieltesten genutzte Material ! Die vielfaltigen Eigenschaften sind in dieser Datensammlung in internationaler Zusammenarbeit sehr gestrafft zusammengetragen und mit dem Stand 1987 streng gepruft worden. Anliegen der sogen. 'Datareviews' ist es besonders, alle Werte im Sinne einer Datenbank dem Leser anzubieten. Dazu werden weitgehend vereinheitlichte Formate und rechnergerechte Formeln verwendet. Mit dieser Form wird auch versprochen, daB solche Werte st&ndig aktualisiert und auch uber Rechnerverbund von EMISIINSPEC abgefragt werden konnen. Auljerdem sol1 diese ubersicht periodisch mit einem neuen Stand verlegt werden. I n der Regel sind den einzelnen Ubersichten kurze Begriffserklarungen vorangestellt und jeweils nur einige wenige Literaturstellen fur die am besten gesicherten Parameterwerte zitiert. An der Auswahl und Vorbereitung haben uber 70 namhafte Fachleute niitgearbeitet, sie sind fur die einzelnen Beitrage namentlich ausgewiesen. Obwohl es weitere Halbleiter such mit zum Teil gunstigeren Eigenschaften gibt, ist das Silicium Zuni Grundmaterial bei der technologischen Healisierung mikroelektronischer Bauelemente geworden, und das wegen der vielen nutzbaren Kombinationen mit anderen Materialien, Dotanten, Isolierschichten, Kontaktsysteme und wegen der Relierrschung elektronischer, chemischer und physikalischer Grenz-und Oberflachenprobleme. Dazu gehoren auch die inzwischen vielfaltig entwickelten Techniken zur lateralen und vertikalen Strukturierung des Siliciums und seiner Verbindungen. Uber fast alle diese mechanischen. tlierrnischen, optischen und elektrischen Eigenschaften und uber die technologische Verarbeitbarkeit wird berichtet. S o sind besondere Kapitel den Interfaces MetallISi, Silicid/Si, Siliciumoxiden, Si-Nitriden u. a. gewidmet, aber z. B. aucli den defektbedingten Ausfallen in Rauelementestrukturen. Diese Samnilung ist eine Fundgrube sowohl fiir den Rpezialisten der Grundlagenforschung als auch fur den Technologen. Sie bietet fur vide Situationen die Standards an, zeigt aber auch die Empfindlichkeit und ReeinfluBbarkeit durch Verunreinigungen, physikalische Storungen und technologische MaBnahmen. Weiter sind auch die wesent.lichen MeBvorschriften und die Nachweis-und Empfindlichkeitsgrenzen interessant. Auch der weniger spezialisierte Leser kann an diesem Beispiel des Silicium spuren, wie vielfaltig das gesamte Umfeld ist, wie aufwendig und erfolgreich auf einern modernen Gebiet der Hochtechnologien gearbeitet wurde und auch weiterlriu geforscht wTird.

M. RALARIF