Plastische Verformung von Siliziumeinkristallen unterschiedlicher Ausgangsversetzungsdichte im Streckgrenzenbereich

✍ Scribed by Dr. J. Doerschel; Dr. F.-G. Kirscht; Dr. R. Baehr

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1977
• Tongue: English
• Weight: 706 KB
• Volume: 12
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19770121111

✦ Synopsis

Abstract

Mittelorientierte ZF‐Siliziumkristalle — versetzungsfrei und mit eingewachsenen Versetzungen (EPD~0~ = 6,5 · 10^4^ cm^−2^) — wurden in Kompression im Temperaturbereich 1120 … 1300 K bis zur unteren Streckgrenze dynamisch verformt. Die Untersuchung der Versetzungsstruktur plastisch deformierter Kristalle (T = 1138 K; a~0~ = 1,45 · 10^−4^ s^−1^) erfolgte mittels Ätztechnik und Höchstspannungselektronenmikroskopie.

Beide Materialien zeigen wesentliche Unterschiede sowohl im Verformungsverhalten als auch in der sich ausbildenden Versetzungsstruktur. Charakteristisch für das versetzungsfreie Ausgangsmaterial sind (1) der inhomogene Verformungsablauf im Bereich der oberen Streckgrenze sowie (2) eine höhere Gesamtversetzungsdichte und ein größerer Anteil sessiler Lomer‐Versetzungen an der unteren Streckgrenze im Vergleich zum versetzungsbehafteten Kristall.

Die gemessenen Spannungen werden mit den aus Strukturdaten auf Basis der Plastizitätstheorie diamantähnlicher Halbleiter berechneten Werten verglichen.