Plastische Eigenschaften von einkristallinem Silicium in Abhängigkeit von der Temperatur und der Versetzungsdichte

✍ Scribed by Dr.-Ing. H. H. Over; Prof. Dr. E. Lugscheider; Prof. Dr. O. Knotek

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1983
• Tongue: English
• Weight: 680 KB
• Volume: 14
• Category: Article
• ISSN: 0933-5137
• DOI: 10.1002/mawe.19830140212

✦ Synopsis

Abstract

Die Untersuchungen an den [111]‐orientierten Siliciumeinkristallen ergaben in Übereinstimmung mit dem Streckgrenzenmodell von van Bueren eine logarithmische Abhängigkeit der Streckgrenze von der Abgleitgeschwindigkeit und eine exponentielle von der Temperatur. Im Gegensatz dazu stehen die von Haasen postulierte und von Siethoff an Silicium bestätigte exponentielle Geschwindigkeitsabhängigkeit. Diese Diskrepanz läßt sich durch unterschiedliche Versetzungsmultiplikation und Versetzungswanderung in versetzungsfreiem und versetzungsbehaftetem Material unter Berücksichtigung der Mehrfachgleitung erklären.