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Photospannung am Element Metall-Halbleiter-Metall. V Versuche an polykristallinen Kupferoxydulproben bei tiefen Temperaturen

✍ Scribed by G. Mönch


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1939
Tongue
English
Weight
374 KB
Volume
428
Category
Article
ISSN
0003-3804

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✦ Synopsis


Versuche an polyksistallinen

Aupferoxcydulproben bei t8efen Temperaturen Porn G.iFlii?zch (Mit 6 Abbildungen) I n h a l t : 1. Ubersicht. -2. Versuchsanordnungen. a) Herstellung der Photoelemente; b) VersuchsgefaS ; c) Optische Anordnungen. -3. Mellergebnisse. a) Bei einseitiger Beliehtung eines in flussiger Luft hangenden Elementes Kupfer-Kupferoxydul-Kupfer entsteht eine Spannung; b) Sie betragt unter den hier gewahlten optischen Bedingungen etwa 5 . lo-* Volt j e, d) Fur zwei verschiedene optische Anordnungen wird die Abhbgigkeit der GrS0e der Spannung von dem Ort der Beliehtung graphisch wiedergegeben; e) An den Grenzen Metall-Halbleiter lafit sich kein Gleichrichtereffekt feststellen ; f ) Bei einseitiger Belichtung der Proben sind die Leitfahigkeiten je nach Richtung des Stromdurchganges verschieden grol; g) Die gemessene Photospannung ist fast eine Zehnerpotenz gro0er als die aus der Diffusionsformel errechnete Spannung.