Phase Lead Determined Growth of (100)textured Germanium Crystallites in Eutectic Ag-Ge Alloys AI-Si tylm ciitectics (AI-Si, Ag-Si, Ag-Or, Zii-Ge) fortii ( 100) -textured eutectic dendrites of t h e seiiiicotidiictor phase when a certain growth r a t e R atid liquid tetiiperature gradient G a r e held. T h e spacings of these eritectic dendrites 1 follow t h e relationship: 1 = CaR-raG-8a (ra % 0.2; g m 0.5). T h e exponents of this relationship can be explained by t h e ttiodel of phase l e d determined growth. This iilodel is based o n t h e consideration of t h e analogy t o dendrite growth. The AI-Si type eutectics have geometrically similar itiorphologies for tleterinined GZ/R-relations (x: = 1.25 in t h e case of Ag-Ge) a n d t h e relation A2R = corist. is valid. I n this paper t h e Ag-Ge errtectic will be discussed in close detail.
Die A1-Si illinlichen Eiitektika (Al-Si, Ag-Si, Ag-Ge, Zn-Ge) bilderi bei I)estittttnter:
Waohsturiisrateii R untl Te~nperaturgradienten an der Grenzfliiche fest-flussig G (loo>texturierte eutektische Denchiten der Hdbleiterphase am. Der Allstarid der eutektischeti Deridriten i folgt tier Beziehung: A = C,R-raG-n ( r l m 0.2; $2 % 0.5). Die Exponenten dieser Beziehungen konnen mit dern Modell des ~),hasenfuhrungs~estirnlnten Wachstunis erkliirt werden, das auf Analogiebetrachtungcn zuiii Deridritenwachsturri basiert.
Fur I~estitiiiiite GZ/K-Verhiiltiiisse (z = 1.25 fur Ag-Ge) haben die Al-Si-illinlichen Eutektika geoiiretrisch iihnliche Morphologieri, untl (lie Beziehrrng A2R = const. ist giiltig. In dieser Arbeit wird tlas Ag-Ge-Eutektikurn detuilliert tliskutiert.