The oxygen coverage was determined by cathodic charging curves at different potentials under the conditions of periodic, low-speed, potentiostatic current potential curves in 1 N HCIO4 with vigorous hydrogen or argon stirring between + 0"6 V and + 1"5 V. t In the case of hydrogen stirring the net current is practically due to the anodic oxidation of molecular hydrogen in the potential range of passivation. Fick's law is applicable to the hydrogen diffusion between +0"8 V and + 1"1 V during the anodic sweep. The decrease of the concentration of molecular hydrogen in the diffusion layer can be corrected for. The correlation between reaction rate and oxygen coverage shows that most of the passivation is caused by a small oxygen coverage (10 per cent). After the very active centres for hydrogen oxidation have been covered by oxygen, the inhibition increases little with potential above +1.1 V during the anodic sweep.
Zusammenfassung--Die Sauerstoffbelegung wurde mittels kathodiseher Ladekurven bei verschiedenen Elektrodenpotentialen unter denselben Bedingungen wie periodische, bei kleiner Spannungsgeschwindigkeit gemessene Stromspannungskurven in 1 N HC10~ bei intensiver Bespiilung mit Wasserstoff oder Argon zwischen +0,6 V und + 1,5 V bestimmt. Der Gesamtstrom ist praktisch verursacht durch die anodische Oxidation des molekularen Wasserstoffs im Potentialbereich der Passivierung im Fall yon Wasserstoffbespiilung. Fick's Gesetz ist auf die Wasserstoffdiffusion zwischen +0,8 V und + 1,1 V wfihrend des anodischen Durchganges anwendbar. Eine Korrektur kann fiir den Konzentrationsabfall des molekularen Wasserstoffs in der Diffusionsschicht angebracht werden. Der Vergleich zwischen Reaktionsgeschwindigkeit und Sauerstoffbelegung zeigt, dass der gr6sste Teil der Passivierung durch eine kleine Sauerstoffbelegung (10 Prozent) bedingt ist. Nachdem die sehr aktiven Zentren fiir die Wasserstoffoxidation mit Sauerstoff bedeckt worden sind, nimmt die Inhibition geringftigig mit dem Potential oberhalb von+ 1,1 V wiihrend des anodischen Durchganges zu.