The growth of oxide on different crystal faces of aluminium is studied. According to the theory of the oxidation of a metal proposed by Mott, metallic ions migrate from the metal surface to the oxide-air interface. These ions must first overcome the potential barrier at the metal-oxide interface, and if this is different on different crystal faces, then the oxide thickness will also be different.
The oxide films were formed electrolytically, so that the potential difference across the oxide was known. The orientations of the crystals were found by goniometer measurements and X-ray diffraction methods. The thickness of the oxide was obtained by a study of the interference colours shown by these thin films, the method being capable of showing a change in film thickness of about 4A. Two known crystal faces were produced by etching techniques, and both etched and electro-polished surfaces were studied. No significant variation in oxide thickness was observed on different crystal faces. LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR DIFFBRENTES FACES CRISTALLOGRAPHIQUES DE L'ALUMINIUM On a CtudiC la croissance d'oxyde sur diffbrentes faces cristallographiques de l'aluminium. Suivant la theorie de l'oxydation d'un m&al, prop&e par Mott, les ions metalliques se deplacent de la surface du m&al vers l'interface oxyde-air. Ces ions doivent d'abord vaincre la barriere de potentiel Q l'interface m&al-oxyde, et si cette barriere est diff&ente sur diffbrentes faces du cristal, 1'6paisseur de l'oxyde variera d'une face B l'autre. Les couches d'oxyde ont et6 form&es 6lectrolytiquement, et la difference de potentiel a travers l'oxyde etait connue. Les orientations des cristaux furent determinCes au moyen de mesures goniom&riques et de la diffraction des rayons X. L'dpaisseur de l'oxyde &ait d&ermin& par l'&ude des couleurs d'interfgrence obtenues sur ces couches! cette m&hode permettant d'bvaluer des variations d'6paisseur de l'ordre de tiA. Deux faces cnstallographiques, connues, ont et6 pr6parCes par attaque, et ensuite les surfaces attaquees et80 lies &ctrolytiquement ont &? etudiees. n n'a pas constate de variations appr6ciables de l'dpaisseur de l'oxyde sur diffdrentes faces. OXYDBILDUNG AUF VERSCHIEDENEN KRISTALLEBENEN DES ALUMINIUMS Es wurde die Oxydbildung auf verschiedenen KristallfWhen des Aluminiums untersucht. Nach der von Mott vorgeschlagenen Theorie der Metalloxydation wandern die Metallionen von der Metalloberfltiche zur Grenzfl;iche Oxyd-Luft. Diese Ionen miissen zuerst die Potenzialschwelle an der Grenzfllche Metall-Oxyd iiberwinden, und falls diese an verschiedenen Kristallebenen verschieden ist. wird such die Dicke der Oxydschicht verschieden sein. Die Oxydfilme wurden elektrolytisch geformt, so dass die Potentialdifferenz an den Oxyden bekannt war. Die kristallographische Orientierung wurde r6ntgenographisch und goniometrisch ermittelt. Die Dicke der Oxydschichten wurde aus den Interferenzfarben, die d'ese diinnen Filme zeigen, bestimmt. Mit dieser Methode liessen sich Dickensnderungen von ca. 40 A aufzeigen. Zwei bekannte Kristallebenen wurden mittels Atzverfahren hergestellt und sowohl geltzte wie such elektropolierte Fllchen untersucht. Die verschiedenen Kristallflachen zeigten keine nennenswerten Unterschiede in der Dicke der entsprechenden Oxydschichten.