Abstract
Einkristalle sind heute bereits so häufige und leistungsentscheidende Bauelemente in technischen Apparaten und Einrichtungen für Naturwissenschaft, Medizin und Industrie, daß eine zusammenfassende Darstellung ihrer wichtigsten Herstellungsmethoden, Entwicklungsmöglichkeiten und ‐grenzen allgemeines Interesse beanspruchen dürfte. Im I. Teil werden zunächst die theoretischen Grundlagen des Kristallisierens und der Einkristallzüchtung dargelegt. Hierbei interessieren vor allem die Begriffe Sättigung, Übersättigungsgrenze, metastabiler Bereich, lineare Wachstumsgeschwindigkeit und spontane Keimbildung. Im II. Teil werden sodann die z. Z. technisch genügend ausgereift erscheinenden speziellen Züchtungsverfahren nach Grundlagen, apparativem Stand, Verfahrensbesonderheiten, Leistungsmöglichkeiten und ‐grenzen und die Zuchtprodukte genauer behandelt. Es wird gezeigt, daß die heutige technische Einkristallherstellung bereits alle wichtigen Methoden des Kristallisierens nutzt, und zwar: Die gewöhnliche Lösungszüchtung (als Kühlungs‐, Verdampfungs‐ und Umlaufzüchtung), die Hydrothermalzüchtung, die Schmelzzüchtung, die tiegelfreie Züchtung (z. B. Verneuil‐Züchtung, Emeis‐Verfahren u. a.), die Züchtung aus ganzförmiger Nährphase, die Züchtung durch Rekristallisation und die elektrolytische Züchtung.