M. Gentili, C. Giovannella and S. Selci (eds). Nanolithography: A Borderland between STM, EB, IB and X-ray Lithographies. NATO ASI Series; Series E: Applied Sciences – Vol. 264. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London 1994 ISBN 0–7923–2794-2 215 Seiten, 149 Abbildungen. Preis: Dfl 185.00/US $ 106.00
✍ Scribed by P. Süptitz
- Book ID
- 102128240
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1995
- Tongue
- English
- Weight
- 79 KB
- Volume
- 30
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Die Kiirzel im Titel werden viele ins Griibeln bringen, auch wenn sie -neben vielen anderenheute in der Halbleitertechnologie und in der Lithographie ublich geworden sind. Im vorliegenden Fall handelt es sich um verschiedene Moglichkeiten des Einschreibens bzw. Aufbelichtens beim lithographischen ProzeB. STM steht fur Scanning Tunneling Microscope, EB fur Electron Beam, IB fur Ion Beam; dagegen bedarf wohl X-Ray keiner Erlauterung. Alle Bezeichnungen treten hier nur in einer Art Untertitel auf. In der Hauptsache geht es um die Erzeugung von Strukturen im Nanometerbereich. Und darunter sollen, wie es im Buch begriindet wird, Strukturen unter 150 nm Breite verstanden werden. Das ist jener Bereich, der bei Fortsetzung der Entwicklung der letzten 30 Jahre etwa im Jahre 2002 mit den fortgeschrittensten Halbleiterbauelementen erreicht werden sollte. Die Lithographie ist die Schlusseltechnologie auf dem Weg zu diesem Ziel.
Das Wissenschdftliche Komitee der NATO hat ein spezielles Programm uber wissenschaftliche Probleme im Nanometerbereich aufgelegt, in dessen Rahmen 1993 in Rom ein Workshop mit jenem Titel stattfand, den nun auch das Buch tragt. Wiedergegeben werden 21 der auf der Konferenz vorgestellten Berichte. Sie zeigen den 1994 erreichten Stand und die Prognose fur das nachste Jahrzehnt auf. Den Schwerpunkt bilden die Beitrage iiber die Elektronenstrahllithographie. Diese Methode ist der Vorreiter im Rennen um die extremste Miniaturisierung. Der Strahl kann schon auf weniger als 1 nm konzentiert werden, doch fehlen fur eine lithographische Nutzung noch die Resiste. Fur die Maskenherstellung ist die Methode heute und wohl auch in der Zukunft unentbehrlich. Konnte man rnit Elektronenstrahlen auch groDflachig ausreichend belichten, brduchte man kein anderes Verfahren. So aber kommt die Rontgenstrahlbelichtung zum Zuge, die, wie die einzelnen Berichte zeigen, heute so weit entwickelt ist, daO damit Strukturen bis herunter zu 30nm parallel, also grooflachig, eingeschrieben werden konnen. Weitere Berichte zeigen den Stand, der rnit fokussiertem Ionenstrahl und mit der Ionenstrahlprojektion erreicht worden ist.
Erstmals in einem Workshop uber Nanolithographie sind entsprechende Arbeiten mit dem Rastertunnelmikroskop vertreten. Hier eroffnet sich eine neue nanolithographische Technologie, deren groBtechnische Anwendung allerdings noch weit in der Zukunft liegt. Uber mehrere Methoden wird berichtet : Das Direktschreiben von metallischen Pfaden durch lokale CVD vor der Abtastspitze; die Strukturierung geeigneter organischer Resiste uber das STM; das Anatzen und Entfernen von Halbleitermaterial; alles in Dimensionen von 10 nm, z. T. sogar noch darunter.
Im Verein mit umfangreicher Literaturangabe und vielen Abbildungen sind die Berichte fur jene Physiker und Ingenieure von Wert, die sich der Lithographie bedienen oder an ihrer Weiterentwicklung arbeiten bzw. daran interessiert sind.