Low Temperature Investigations of e--Irradiated GaAs')
Positron lifetime measurements have been performed on electron irradiated chromium doped semi-insulating GaAs as a function of annealing between 139 and 908 K. Trapping at negatively charged GaAs defects and by a vacancy mixture dominated by trivacancies took place in the as-irradiated state. Upon annealing around 210 K divacancies were formed from the trivacancies as caused by migrating arsenic interstitials. Complete trapping prevailed up to 530 K but decreased then rapidly at higher temperatures due to the migration of divacancies which also remove the GaAS defects.
Positronenlebensdauern wurden in elektronenbestrahltem
Cr-dotiertem ,,semiinsulating" GaAs als Funktion von isochroner thermischer Behandlung zwischen 139 und 908 K gemessen. Nach der Elektronenbestrahlung sind siimtliche Positronen entweder durch negativ geladene Ga(As)-Antistrukturatome oder durch eine Mischung von Dreifachund Doppelleerstellen eingefangen. -Bei 210 K findet ein Ubergang von Dreifachzu Doppelleerstellen statt. Danach wurde ein rapides Abnehmen der totalen Einfangrate oberhalb 530 K festgestellt. Dies wird durch die Mobilisierung der Doppelleerstellen und die damit verbundene Beseitigung des starken Einfangs der Positronen durch die Ga(As)-Defekte verursacht.