Kristallstrukturen von NH4GaF4 und NH4GaF4 · NH3
✍ Scribed by Meike Roos; Gerd Meyer
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1999
- Tongue
- German
- Weight
- 232 KB
- Volume
- 625
- Category
- Article
- ISSN
- 0372-7874
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✦ Synopsis
Professor Manfred Meisel zum 60. Geburtstag gewidmet Inhaltsu È bersicht. Bei der Oxidation von elementarem Gallium mit NH 4 F entstehen bei 350 °C Einkristalle von NH 4 GaF 4 (tetragonal, I4/mcm, Z = 4, a = 527,1(1), c = 1281,6(3) pm, isotyp zu NH 4 AlF 4 ). Es liegt eine Schichtstruktur vor, in der Schichten aus eckenverknu È pften [GaF 6 ]-Oktaedern und isolierten Ammonium-Tetraedern la È ngs [001] gestapelt sind. Einkristalle von NH 4 GaF 4 ´NH 3 entstehen aus Gallium mit NH 4 HF 2 bei 300 °C (monoklin, I2/m, Z = 4, a = 745,2(2), b = 676,7(2), c = 976,0(3) pm, b = 105,52(4)°). Durch den Einbau eines Øquivalents NH 3 wird die Schichtstruktur von NH 4 GaF 4 aufgebrochen; es entsteht eine dichteste Stabpackung aus Ketten, die alternierend aus [GaF 6 ]und [Ga(NH 3 ) 2 F 4 ]-Oktaedern aufgebaut sind. In die Zwischenra È ume werden isolierte NH 4
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