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Kristallstrukturen von NH4GaF4 und NH4GaF4 · NH3

✍ Scribed by Meike Roos; Gerd Meyer


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1999
Tongue
German
Weight
232 KB
Volume
625
Category
Article
ISSN
0372-7874

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✦ Synopsis


Professor Manfred Meisel zum 60. Geburtstag gewidmet Inhaltsu È bersicht. Bei der Oxidation von elementarem Gallium mit NH 4 F entstehen bei 350 °C Einkristalle von NH 4 GaF 4 (tetragonal, I4/mcm, Z = 4, a = 527,1(1), c = 1281,6(3) pm, isotyp zu NH 4 AlF 4 ). Es liegt eine Schichtstruktur vor, in der Schichten aus eckenverknu È pften [GaF 6 ]-Oktaedern und isolierten Ammonium-Tetraedern la È ngs [001] gestapelt sind. Einkristalle von NH 4 GaF 4 ´NH 3 entstehen aus Gallium mit NH 4 HF 2 bei 300 °C (monoklin, I2/m, Z = 4, a = 745,2(2), b = 676,7(2), c = 976,0(3) pm, b = 105,52(4)°). Durch den Einbau eines Øquivalents NH 3 wird die Schichtstruktur von NH 4 GaF 4 aufgebrochen; es entsteht eine dichteste Stabpackung aus Ketten, die alternierend aus [GaF 6 ]und [Ga(NH 3 ) 2 F 4 ]-Oktaedern aufgebaut sind. In die Zwischenra È ume werden isolierte NH 4


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Inhaltsu È bersicht. Die Salze [Al(NH 3 ) 4 Cl 2 ] + [Al(NH 3 ) 2 Cl 4 ] ± º AlCl 3 ´3 NH 3 (1) und (NH 4 + ) 2 [Al(NH 3 ) 4 Cl 2 ] + [Al(NH 3 ) 2 -Cl 4 ] ± (Cl ± ) 2 ºAlCl 3 ´3 NH 3 ´(NH 4 )Cl (2) entstehen in einkristalliner Form bei der Umsetzung von Aluminium bzw. AlCl 3 mit (NH 4 )Cl in verschw