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K.-O. Backhaus. Technik-Wörterbuch Kristallografie, englisch, deutsch, französisch, russisch, 132 Seiten VEB Verlag Technik, Berlin 1972, M 20.–

✍ Scribed by K.-Th. Wilke

Book ID
102123073
Publisher
John Wiley and Sons
Year
1973
Tongue
English
Weight
51 KB
Volume
8
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Der Benutzer dieses Werkes wird die immense und gewissenhafte Arbeit der Autoren besondere schtitzen, da dasbisher miihsame Suchen von Gitterbeziehungen nunmehr wesentlich erleichtert ist. An Hand der gegebenen Systematik H& sich gewissermaf3en auch prognostisch ableiten, welche Substanzen mit welchen Ebenen zur Epitaxie neigen kbnnen.

Ein kleiner Hinweis sei jedoch gestattet: das Optimum an Information in diesem Rahmen wtlre mit einer Angabe der experimentellen Bedingungen (etwa Vakuumaufdampfung, chemische Transportreaktion, wtlssrige Lbsung etc. ) erreicht.

G. m N K. -0. BACKHAUS

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stoff-auf Stickstoffstrom erhaltenen MeBkurven. Der Sauerstoffpartialdruck steigt zunachst beim Ausspiilen des Wasserstoffs rasch auf atm an und verweilt dann langer im Bereich bis 10-l2 atm, wobei der Kupferkontakt entsprechend dem hoheren Sauerstoffgleichgewichtsdruck des Kupferoxides auch hohere