Ionisierungspotentiale von Halbleiterkristallen und Abschätzung von Energiesprüngen an Heteroübergängen
✍ Scribed by Prof. Dr. K. Unger; Doz. Dr. H. Neumann
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1981
- Tongue
- English
- Weight
- 467 KB
- Volume
- 493
- Category
- Article
- ISSN
- 0003-3804
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✦ Synopsis
Abstract
Ausgehend von lokalen empirischen Pseudopotentialen wird die Energie des oberen Valenzbandrandes bezogen auf das mittlere effektive Einelektronenpotential berechnet, um Ionisierungspotentiale für Si, Ge und neun III‐V‐Verbindungen zu bestimmen. Hierfür wird das auf das Vakuumniveau bezogene mittlere Einelektronenpotential unter Einschluß von Austausch und Korrelation in einem Bindungsladungsmodell ermittelt. Die Ergebnisse stimmen gut mit den experimentellen Werten überein, wenn zur Anpassung der berechneten Bandstrukturen nicht nur optische, sondern auch röntgenspektroskopische und Photoemissionsdaten herangezogen werden. Zum Vergleich werden auch Experimente an Heteroübergängen herangezogen, die Aufschlüsse über die auftretenden Energiesprünge liefern.
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