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Ionisierungspotentiale von Halbleiterkristallen und Abschätzung von Energiesprüngen an Heteroübergängen

✍ Scribed by Prof. Dr. K. Unger; Doz. Dr. H. Neumann


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1981
Tongue
English
Weight
467 KB
Volume
493
Category
Article
ISSN
0003-3804

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✦ Synopsis


Abstract

Ausgehend von lokalen empirischen Pseudopotentialen wird die Energie des oberen Valenzbandrandes bezogen auf das mittlere effektive Einelektronenpotential berechnet, um Ionisierungspotentiale für Si, Ge und neun III‐V‐Verbindungen zu bestimmen. Hierfür wird das auf das Vakuumniveau bezogene mittlere Einelektronenpotential unter Einschluß von Austausch und Korrelation in einem Bindungsladungsmodell ermittelt. Die Ergebnisse stimmen gut mit den experimentellen Werten überein, wenn zur Anpassung der berechneten Bandstrukturen nicht nur optische, sondern auch röntgenspektroskopische und Photoemissionsdaten herangezogen werden. Zum Vergleich werden auch Experimente an Heteroübergängen herangezogen, die Aufschlüsse über die auftretenden Energiesprünge liefern.


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