By fitting theoretically calculated to experimentally found lg UT f 1/T dependencies ( u conductivity) there were obtained : the free formation enthalpy of anti-Frenkel defects gAB = 1.81 eV -7.85 kT, and the mobilities v, and V I of Fion vacancies and interstzials: v,T = 240 exp (-0.59 eV/kT) cm2 K/Vs,.viT = i4080 + 610) exp (-0.79 eV/kT) cm2 K/Vs.
The free association enthalpies were reestimated for complexes consisting of single foreign cations (Na+, K+, Ys+, La3+, Tma+, Yb3+) and the corresponding charge-compensating defects. At the melting point of BaF, at least 5.7 per cent of the Fions are disordered.
Durch die Anpassung theoretisch berechneter an experimentell gefundene Leitfiihigkeits-verl6ufe lg U T + 1/T wurden bestimmt : Die freie Bildungsenthalpie der Anti-Frenkel-
Defekte
= 1,81 eV -7,85 kT, die Beweglichkeiten vv und v, der F--Leerstellen und F--Zwischengitterionen: v,T = 240 exp (-0,59 eV/kT) cm2 K/Vs, viT = (4080 f 610) exp (-0,79 eV/kT) cm2 K/Vs.
Fur Komplexe aus einzelnen Fremdionen (NE+, K+, Y3+, La3+, Tm3+, Yb3+) und den diese ladungskompensierenden Defekten wurden die freien Assoziationsenthalpien neu bestimmt. Am Schmelzpunkt von BaF, sind mindestens 5,7 yo der F--1onen fehlgeordnet. 8 ~A F references hmi hmv ~ 1.35 0.4 l ) 0.61 0.46 l ) 0.37 -0.39 ') ho -~ 1.35 0.62 0.68 -0.69 ') 0.7-0.8 ') 0.72 0.72 l )