Investigations for the improvement of the radial doping homogeneity of dislocation-free floating zone silicon crystals
✍ Scribed by Dr. Ing. W. Schröder; Dr. rer. nat. H.-J. Rost; Dr. rer. nat. E. Wolf
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1989
- Tongue
- English
- Weight
- 606 KB
- Volume
- 24
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Investigations for the Improvement of the Radial Doping Homogeneity of Dislocation-free Floating Zone Silicon Crystals
I n order t o improve the doping inhomogeneities of dislocation free F Z Silicon crystals with diameters 2 75 mm investigations were carried out t o influence the shape and curvature of the crystallization interface during the crucible-free floating zone crystal growth process. I n this works shapes and geometries of the applied melting inductors and the relative positions of these inductors t o the seed axis were examined concerning the values of radial macroscopic and microscopic doping inhomogeneities in dependence on other growth parameters, for instance crystal rotation rate. The application of eccentric inductor-seed positions effects a decreasing "bending value" of the crystallization interface, t h a t means an improvenient of the macroscopic radial doping inhomogeneity with crystal rotation rate in the range between 4 and 8 min-I.
Zur Verbesserung der Dotierungsinhomogenitat versetzungsfreier FZ-Siliziunikristalle mit Durchmessern 2 75 mm wurden Untersuchungen zur Beeinflussung von Form und Durchbiegung der Kristallisationsphasengrenze bei der tiegelfreien ,,floating-zone" Kristallzuchtung durchgefiihrt. I n der vorliegenden Arbeit wurden Formen und Geornctricii der verwendeten Schmelzinduktoren und deren relative Positionen zur Keiniachse hinsichtlich ihrer Wirkung auf die radialen makroskopischen und mikroskopischen Dotierungsinhomogenitaten und deren Abhiingigkeit von anderen Ziichtungsparametern wie z. B. der Kristallrotation untersucht. Die Anwendung exzentrischer Induktor-Keimanordnungen bewirkt eine abnehniende Durchbiegung der Kristallisationsphasengrenze, d. h. eine Verbesserung der makroskopisclien Dotierungsinhomogenitaten beiRotationsgeschwindigkeiten zwischen 4 und 8 min-'.