[IEEE 2012 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC) - San Francisco, CA, USA (2012.02.19-2012.02.23)] 2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference - A 19nm 112.8mm2 64Gb multi-level flash memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode interface

✍ Scribed by Shibata, N.; Kanda, K.; Hisada, T.; Isobe, K.; Sato, M.; Shimizu, Y.; Shimizu, T.; Sugimoto, T.; Kobayashi, T.; Inuzuka, K.; Kanagawa, N.; Kajitani, Y.; Ogawa, T.; Nakai, J.; Iwasa, K.; Kojima, M.; Suzuki, T.; Suzuki, Y.; Sakai, S.; Fujimura, T.; Utsunomiya, Y.; Hashimoto, T.; Miakashi, M.; Kobayashi, N.; Inagaki, M.; Matsumoto, Y.; Inoue, S.; Suzuki, Y.; He, D.; Honda, Y.; Musha, J.; Nakagawa, M.; Honma, M.; Abiko, N.; Koyanagi, M.; Yoshihara, M.; Ino, K.; Noguchi, M.; Kamei, T.; Kato, Y.; Zaitsu, S.; Nasu, H.; Ariki, T.; Chibvongodze, H.; Watanabe, M.; Ding, H.; Ookuma, N.; Yamashita, R.; Liang, G.; Hemink, G.; Moogat, F.; Trinh, C.; Higashitani, M.; Pham, T.; Kanazawa, K.

• Book ID: 111879932
• Publisher: IEEE
• Year: 2012
• Weight: 431 KB
• Volume: 0
• Category: Article
• ISBN: 1467303755
• DOI: 10.1109/isscc.2012.6177073