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Herstellung und Zurichtung von MgAl-Spinell-Substraten für die Halbleiterepitaxie

✍ Scribed by F. Richter; Dr. J. Herberger; Prof. Dr. sc. O. Fiedler; U. Scheit

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1975
Tongue
English
Weight
642 KB
Volume
10
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis

Abstract

Es werden einige Verfahren zur Herstellung von einkristallinen MgAl‐Spinell‐Substraten für die Halbleiterepitaxie verglichen. Diese Verfahren unterscheiden sich hinsichtlich des Einsatzes verschiedener Orientierungs‐, Trenn‐, Schleif‐, Läpp‐ und Poliermethoden. Die gestörte Oberflächenschicht, die infolge der mechanischen Bearbeitung entsteht, wird mit Reflexionselektronenbeugung und chemischer Ätzung charakterisiert. Die Abtragung der gestörten Oberflächenschicht durch Ionenätzung führt jedoch im Gegensatz zur chemischen Ätzung wiederum auf eine zwar dünnere, aber durch den Ionenbeschuß beeinträchtigte Oberflächenschicht.

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## Abstract Das Diffusionsschweißen von Metall‐Keramik‐Verbindungen kann sowohl rnit Hilfe konventioneller Diffusionsschweißanlagen als auch unter Anwendung der Heißisostatischen Preßtechnik durchgeführt werden. Der Einsatz der HIP‐Technologie ermöglicht die Herstellung verschiedenartiger Werkstoff