Herstellung und kristallographische Eigenschaften von GaxIn1−xP-Epitaxieschichten

✍ Scribed by Dr. J. Noack; Dr. J. Kies

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1976
• Tongue: English
• Weight: 405 KB
• Volume: 11
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19760110111

✦ Synopsis

Abstract

Es wird eine Methode zur Herstellung von Ga~x~In~1−x~P‐Schichten durch Anwendung chemischer Transportreaktion unter Verwendung einer In, Ga‐Schmelze and InP als Quellen sowie HCl als Transportmittel beschrieben. Die x‐Abhängigkeit der Variationsbreite des Beugungwinkels wird als durch thermodynamische Eigenschaften des Systems InP‐GaP sowie des Abscheidungsvorganges begründet und als Inhomogenität im Sinne einer Abweichung vom Verhalten eines idealen Mischkristalls gedeutet.