Ergebnisse bei der Darstellung von GaAs-Einkristallen

✍ Scribed by Dozent Dr. M. Schulz; Dipl.-Phys. H. Schaefer; Dipl.-Met. M. Seifert; Ing. H. Heckert

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1973
• Tongue: English
• Weight: 525 KB
• Volume: 8
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19730080118

✦ Synopsis

Abstract

Es wird über Arbeiten zur Züchtung von 〈111〉 und 〈100〉 orientierten GaAs‐Einkristallen nach der Czochralski‐Technik mit Abdeckschmelze berichtet. Dargestellt werden Versuchsergebnisse zur Kristallperfektion und zur Dotierung. Für Zinn‐und Tellur‐dotierte GaAs‐Einkristalle werden Zusammenhänge zwischen eingesetztem Dotierungsmaterial und den Kristalleigenschaften experimentell untersucht und diskutiert. Der bei den Untersuchungen ermittelte Verteilungskoeffizient für Sn in GaAs wird mit früher veröffentlichten Werten verglichen. Des weiteren werden Ergebnisse über die Homogenität hinsichtlich der Dotierung und der Perfektion dargestellt.