Probe
Erweichungs-Aktivierungstemperatur energie Eel in "C in eV 1 Ge5Sb30S65 Ge40Sb5S55 330 1,76
untersuchenden Glasern ahnlich wie in den entsprechenden Kristallen der eiuzelnen Komponenten verhalten. Die Schmelzpunkte (S 120 "C, Sb,S, 550"C, GeS, SOO' C) sind in Korrelation rnit den oben erwahnten Veranderungen der Tg-Werte, und die zu untersuchenden Gllser konnen in der ersten AnnLherung fur feste Losungen der oben angefuhrten Komponenten mit zerstorter Fernordnung gehalten werden. Die spezifische elektrische Leitfiihigkeit von einzelnen Glasern liegt groBenordnungsmiDig im Bereich von bis R-l cm-l. Der Wert nimmt mit der Temperatur zu und kann mit der Beziehung o = go exp (-Ee'/2kT) beschrieben werden, wo Eel die Aktivierungsenergie der elektrischen Leitfahigkeit ist (Tab. 1). Die zu untersuchenden GlSiser sind im Infrarotbereich und einige auch im sichtbaren Spektralgebiet durchlassig. Die Lage der kurzwelligen Absorptionskante hLngt von der chemischen Zusammensetzung der GlLser ab (Bild 2). Bei konstantem Gehalt a n Germanium wird die Absorptionskante mit zunehmendem Antimongehalt in das Gebiet niedrigerer Energien verschuben. Bei konstantem Antimongehalt verlagert sich die Absorptionskante rnit zunehmendem Schwefelgehalt in den Bereich hoherer Energien.