Elementares Gallium als Quelle für niedervalente Gallium-Liganden in neuartigen Ga-Rh-Clustern
✍ Scribed by Manfred Scheer; Martin Kaupp; Alexander V. Virovets; Sergei N. Konchenko
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 2003
- Tongue
- English
- Weight
- 184 KB
- Volume
- 115
- Category
- Article
- ISSN
- 0044-8249
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✦ Synopsis
Professor Achim Müller gewidmet
Während die Metalle der ersten und zweiten Gruppe als Reduktionsmittel breite Anwendung finden, ist aus der 13. Gruppe lediglich Aluminium in Form der Devarda-Legierung bei der Synthese von Übergangsmetallcarbonylen eingesetzt worden. [1] Mit Thallium wurden Metallcarbonyle zu Metallaten reduziert, z. B. [Co 2 (CO) 8 ] zu Tl[Co(CO) 4 ]. [2] Durch Reduktion von [Re 2 (CO) 10 ] mit elementarem Gallium wird [Re 4 (CO) 12 {m 3 -GaRe(CO) 5 } 4 ] gebildet. [3] Bei der Reaktion von [Ru 3 (CO) 12 ] mit Ga 2 Cl 4 fungierte Gallium als Reduktionsmittel; hier wurden GaCl 2und GaCl-Liganden erzeugt. [4] Ein ähnliches Ziel hatte die Umsetzung von [Re 2 (CO) 10 ] mit GaI 3 in Gegenwart von Gallium. [3] Die Verwendung von Gallium als Reduktionsmittel für Übergangsmetall-Halogen-Verbindungen war bisher auf die Reduktion von Ti IV -zu Ti III -Komplexen wie [Ga(CpTiF 2 ) 3 ] beschränkt. [5] Ein besonderer Vorteil von elementarem Gallium liegt in seinem niedrigen Schmelzpunkt (29.8 8C). Es ist wesentlich milder als andere flüssige metallische Reduktionsmittel, z. B. Natriumamalgam oder K-Na-Legierung, und deshalb günstiger für die Synthese von Übergangsmetall-Komplexen in mittleren Oxidati-onsstufen. Im Folgenden berichten wir über die Reduktion einer Übergangsmetall-Halogen-Verbindung mit elementarem Gallium, bei der sowohl niedervalente GaCl-Liganden entstehen als auch die ersten zweifach koordinierten Ga-Atome, die zwischen zwei Übergangsmetallzentren in einer Mehrzentren-Mehrfachbindung vorliegen.
Die Reaktion von [{Cp''RhCl 2 } 2 ] (1) (Cp'' = h 5 -1,3-tBu 2 C 5 H 3 ) mit Gallium in THF bei 50 8C führt nach zwei Wochen zur Bildung der neuen Ga-Rh-Cluster 2 und 3 ½fðCp 00 RhÞ 2 ðm-GaÞg 2 ðm 4 ; h 2