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Ein Beitrag zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium

✍ Scribed by M. Frenzel

Publisher: John Wiley and Sons
Year: 1973
Tongue: English
Weight: 494 KB
Volume: 8
Category: Article
ISSN: 0232-1300
DOI: 10.1002/crat.19730080809

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✦ Synopsis

Abstract

Es wird ein Überblick gegeben über die möglichen Untersuchungsverfahren zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium. An Hand der Bestimmung der Eindringtiefe von Bor und Phosphor werden einige Verfahren ausführlicher erläutert. Die bei allen Verfahren anfallenden Schichtdickenmessungen erfolgten ellipsometrisch.

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