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Effektive Masse und Beweglichkeit der Löcher in p-ZnSiAs2

✍ Scribed by Dr. E. Ziegler; Dr. W. Siegel


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1975
Tongue
English
Weight
371 KB
Volume
10
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis


Abstract

Durch Analyse der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten konnten für p‐ZnSiAs~2~‐Kristalle die effektive Zustandsdichtemasse des Valenzbandes sowie Störstellenparameter bestimmt werden. Die effektive Zustandsdichtemasse der Löcher beträgt in ZnSiAs~2~ (0,21 ± 0,03) m~0~. Es wurden drei Akzeptorniveaus gefunden, die 15 meV, 40 meV und 200 meV oberhalb der Valenzbandkante liegen. Unter Berücksichtigung der Wechselwirkung der Ladungsträger mit der großen Zahl der longitudinalen Phononenzweige, die in Chalkopyritkristallen auftreten, wurde eine Beweglichkeitsanalyse durchgeführt. Die Übereinstimmung zwischen experimentellen und theoretischen Beweglichkeitswerten ist im Temperaturbereich von 77 K bis 600 K gut.


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