✦ LIBER ✦
Dépôts de nitrure de silicium et de silice par méthode photochimique. Passivation de la surface d'InP par (NH4)2 Sx. Application au MISFET-InP: M. Petitjean, N. Proust and J. F. Chapeaublanc. Revue Technique Thomson-CSF, 24(3), 725 (1992). (In French.)
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1993
- Tongue
- English
- Weight
- 208 KB
- Volume
- 33
- Category
- Article
- ISSN
- 0026-2714
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