menschwerpunkten werden unterschiedliche Teilaspekte der CVD-Technik behandelt. Crundlegend sind die chemischen Vorgange dargestellt und Probleme im Bereich dcr CVD-Materialwissenschaft aufgezeigt. Eine Beschreibung der Band-Gaps, extrinsischer Halbleiter wie der allgemeinen Struktureigenschaften von Verbindungshalbleitern und deren Anwendungstnoglichkeiten (Dioden, Festkorperlaser), der Dampfphasen-Techniken und Methoden des Kristallwachstums folgt. Weitcrhin werden die Grundprinzipien der MOV-PE-(metalorganic chemical vapor deposition), CBE (chemical beam epitaxy), imd ALE-Technik (atomic layer epitaxy) erlautert und Vorgange photostimulierter Prozesse dargestellt. In einerri weiteren Abschnitt stehcn neben der Darstellung der chemischen Grundlagen die Methoden der Synthese von metallorganischen Precursoren, deren thermische Stabilitat sowie Reinheit bzw. Reinigung und die Charakterisierung chemischer Precursoren iin Vordergrund. Applikationen von Precursoren in MOCVD-Prozessen I'ur 111-V und 11-VI Materialien werden im Detail erkliirt. Einsatzmijglichkeitcn unterschiedlic her Precursoren (fur InP, AlInAs bzw. AlInGaAs) werden gepruft sowie das photounterstutzte Wachstum von 111-V Materialien diskutiert. Uer binsatz von metallorganischen Precursoren zur Herstellung von Breitund Schmalband-Gaps (11-VT-Materialien) und das Wachstum von Zink-, CdTe-wie auch von CdHgTe-Precursoren wird untersucht. Beschrieben werden ferner u. a. Prozesse der Dampfphasenphotodissoziation, die photounterstutzte MOCVD von II-VI-Verbindungen und die Photoepitaxie von CdTe und CdHgTe. Das Wachstum von GaAs und AIGaAs, InP sowie ZnSe etc. tinter Einsatz unterschiedlicher Precursoren in Abhangigkeit konventioneller und alternativer Precursoren ist in einem besonderen Abschnitt behandelt. Erlautert werden ferner die selektive Fldchenepitaxie und die laserunterstutzte CBE (chemical beam epitaxy) und MOMBE (metalorganic molecular beam epitaxy). Wegen der allgemeirien Bedeutung ist der ALE (atomic layer epitaxy) ein besonderer Abschnitt gewidmet, in dem das Wachstum von GaAs und damit zusammenhangende speLielle Mechanismen und Probleme untersucht werden. Abschlieaend werden zukunftige Einsatze von unterschiedlichen single Source precursors zur Abscheidung von 111-V-und II-VI-Verbindungen dargestellt.
Insgesamt ist dies eine uberaus umfangliche, kompakte und sehr informative und aktuelle Zusammenstellung uber die verschiedenen Bereichc der CVD-Technik unter dem Gesichtspunkt der Einsatzmoglichkeiten metallorganischer Precursoren. Eine sehr empfehfenswerte Darstellung.
-CB05097 -D. Petersohn