Abstract
On donne une méthode exacte pour calculer le champ de déformation et de contraintes, le champ électrique et l'énergie emmagasinée dans un cristal piézoélectrique contenant une dislocation. Le cas du cristal à large bande interdite est traité rigoureusement, puis les résultats sont étendus au cas de cristaux à bande interdite étroite. Des applications numériques au cas du quartz et du tellure permettent de préciser les points suivants: 1. Le champ de déformation est peu affecté par le couplage piézoélectrique. 2. Le champ de contrainte est fortement affecté par le couplage piézoélectrique. Le champ électrique peut ětre très élevé. Ces deux champs sont fortement effectés par la charge du coeur. 3. L'énergie de ligne n'est pas sensiblement affectée par la piézoélectricité pour une dislocation à coeur neutre. Elle peut ětre très sensible à la charge du coeur. 4. Les interactions dislocations‐porteurs de charge sont très fortes; une compréhension complète nécessite toutefois l'étude des effets d'écran. 5. Dans les semi‐conducteurs à faible bande interdite les dislocations piègent préférentiellement les porteurs d'un signe; on montre que celà peut contribuer à expliquer la conductivité du tellure. De plus les dislocations peuvent contribuer à créer des barrières.