Die Herstellung von einkristallinen Dünnschichten aus Halbleitern mit ausgeprägter Anisotropie durch gerichtete Kristallisation der Schmelze zwischen zwei Substraten
✍ Scribed by Prof. Dr. A. V. Sandulova; Kand. nauk. A. D. Gončarov; Dipl.-Ing. P. Rudolph; Dipl.-Ing. W. Thieme; Dipl.-Ing. L. D. Chutorjanskij; Kand. nauk. W. Ja. Ševčenko
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 371 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Es werdeii Ergebriisse lichtmikroskopischcr und elnktrophysikalischer Untersuchungen an einkristallinen Diinnschichten aus Te und CdSb gezeigt, die mit Hilfe der gerichteten Kristallisation einer diinnen Schmelzschicht zwischen zwei parallelen Substraten erhalteri wurdcn. Die Dicke der Diinnschichten liegt in den Grenzeii von 5 bis 150 pm. Es wird gezeigt, daB bei dieser Methode die Form der Erstarrungsgrenze, die in sta.rkein MaBe die Perfektion der Krist.alle beeinflriBt, steuerbar ist.
Diinrischichten, die bei Kristallisationsgeschwindigkeiton von weniger a19 0,25 cm .
min-1 erhaltcrr wurden, weisen cinkristallirie Struktur mit einer Versetzungsdichte von 6 102 cm-2 auf. Die elektrophysikalischen Parameter (I?,,, u, a ) der Diinnschichten aus Te und CdSb werden rnit denen dcs ma.ssiven Ausgangsmaterinls verglichen und uriterscheiden sich nur unwesentlich. Durch Dot,ierung der Schichten gelang es, einkristalline CdSb-Duiinschichten rnit eirier Elektronenleitfahigkeit herzustellen, die eine Korizentration der Minoritiitstrager bei 77 O K von etwa l O I 4 cm-3 aufweiseri.
Investigation of monocrystalline thin layers ( 5 to 150 pm in thickness) of Te and CdSb orientedly grown between two substrates. The form of the solidifying front strongly influencing crystal perfection can be controlled. Thin layers grown with velocitios < 0.25 cm min-' are monocryst,alline with etch pit densities of 6 . lo2 om-*. The electrical quantities RH, u and a of the layers are nearly identical with those of bulk material. Doped monocrystalline CdSb layers had a minority carricr concentration of -1014 cm-S a t 77 OK.