Defektanalyse von a-C- und CNx-Schichten mittels Röntgen-Photoemissions-Elektronenmikroskopie (X-PEEM). Characterization of stoichiometric defects in diamond, a-C and CNx thin films with Soft X-ray photoelectron microscopy (X-PEEM)
✍ Scribed by Wegelin Frederik; Christian Ziethen; Ralph Ohr; Marc Neuhäuser; Heinz Hilgers; Gerd Schönhense
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 2001
- Tongue
- English
- Weight
- 211 KB
- Volume
- 13
- Category
- Article
- ISSN
- 0947-076X
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✦ Synopsis
Zusammenfassung
Amorphe Kohlenstoff-und Kohlenstoffnitridschichten werden vielseitig als Schutzschichten in der Industrie verwandt. Insbesondere werden in der Magnetfestplattenspeicherindustrie verschleiûfeste sauerstoffundurchla È ssige Schutzschichten von wenigen Nanometern Dicke beno È tigt. Ro È ntgen-Photoemissions-Elektronenmikroskopie (X-PEEM) stellt eine Analysetechnik zur Charakterisierung u. a. von Kohlenstoffschutzschichten dar, da sich Informationen u È ber die lokale Bindungsumgebung aus der Ro È ntgenabsorptions-Nahkantenstruktur (XANES) gewinnen lassen. CVD-DLC-sowie a-C-und CN x -Schichten wurden analysiert. Fu È r die a-C-Schichten auf Si (100) wurde der Anteil sp 2 -hybridisierter Atome bestimmt und mit den mechanischen Eigenschaften der Schicht korreliert. An der CN x -Schicht einer kommerziellen Festspeicherplatte wurde ein Kratztest durchgefu È hrt und der Defekt anschlieûend mit X-PEEM analysiert.