d-Orbitaleffekte in silicium-substituierten π-Elektronensystemen, X. Vertikale Ionisierungsenergien von Alkyl- und Silyl-benzolen
✍ Scribed by Bock, Hans ;Seidl, Hans ;Fochler, Martin
- Publisher
- Wiley (John Wiley & Sons)
- Year
- 1968
- Tongue
- English
- Weight
- 423 KB
- Volume
- 101
- Category
- Article
- ISSN
- 0009-2940
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✦ Synopsis
N
Unterschiede in den massenspektroskopisch bestimmten vertikalen Ionisierungsenergien von Alkyl-und Silyl-benzolen C6H5-X (X = H, CHj, C(CH3)3, CH2C(CH3)3, Si(CHd3, CH2Si(CH3)3, CH(Si(CH3)3)2, C(Si(CH3)3)3 und CH2C(Si(CH3)3)3) lassen sich rnit unterschiedlicher induktiver Polarisation +Ia > +Ic sowie zusatzlicher Elektronen-Riickgabe Si t C, interpretieren. Die obersten besetzten Molekiilorbitale hearer x-Elektronensysteme werden von R3C-, R3Si-und R3SiCH2-Substituenten gleichsinnig beeinflu8t.
Die voneinander abweichenden Grundzustandseigenschaften2) vergleichbarer Kohlenstoff-und Silicium-Verbindungen werden oft mit sogenannten ,,pxdx"-Anteilen gedeutet. Die durch derartige Wechselwirkungen sowie die durch induktive Substituenteneffekte bedingten Energieanderungen sind jedoch mit wenigen Ausnahmen3-6) unbekannt. Wahrend Elektronenubergange nur die Differenzen der Substituenteneffekte im Grundzustand und in den angeregten Zustanden wiedergeben, laBt sich der EinfluB auf einzelne Molekulorbitale mit Hilfe geeigneter MeBmethoden 133-8) erfassen. Informationen uber die relativen Lagen der obersten besetzten Energieniveaus alkyl-und silyl-substituierter x-Elektronensysteme sind insbesondere aus Charge-Transfer-Ubergangen von Donator/Akzeptor-Komplexen4~~) sowie aus Ionisierungsenergien3,6) erhaltlich.