Charakterisierung innerer Grenzflächen mit Methoden der hochauflösenden Elektronenmikroskopie

✍ Scribed by W. Mader

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1990
• Tongue: English
• Weight: 250 KB
• Volume: 21
• Category: Article
• ISSN: 0933-5137
• DOI: 10.1002/mawe.19900210311

✦ Synopsis

das uberschussige Bor in elementarer Form neben TiBz vorliegt. ESCA-Untersuchungen mit monochromatischer Rontgenstrahlung deuten die Existenz von freiem Bor neben TiBz an. Die Differenz in der Bor-Stochiometrie zwischen AES und ICP-Analyse liegt bei etwa 0.4. Beide Methoden lassen jedoch eine solche Standardabweichung nicht zu. Von manchen Elementen, z. B. von Kohlenstoff, ist bekannt, dalj sich bei AES die Empfindlichkeitsfaktoren durch den Bindungszustand des Elements entscheidend andern konnen. So zeigt karbidisch gebundener Kohlenstoff gegeniiber elementarem Kohlenstoff eine wesentlich hohere Auger-Elektronenausbeute. Analog zum Kohlenstoff konnte sich das Bor (gebunden als TiBz bzw. Bor elementar) im vorliegenden Fall ahnlich verhalten und die Diskrepanz im Bor-Gehalt zwischen konventioneller Methode und AES erklaren [9].