Cd diffusion in In0.53Ga0.47As

✍ Scribed by P. Ambrée; Dr. B. Gruska

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1989
• Tongue: English
• Weight: 462 KB
• Volume: 24
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170240312

✦ Synopsis

Diffusion experiments of Cd in VPE-InGaAs, lattice matched to InP, are reported. The closed ampoule technique used makes i t possible t o discuss the thermodynamics of the diffusion system consisting of the semiconductor samples, Cd,As, as compound source and additional In or GaAs powder t o prevent surface deterioration. Results on Cd concentration profiles, diffusion depth, carrier mobility and activation energy for Cd diffusion are given. The phenomenon of double diffusion fronts obtained in some experiments is discussed.

I m vorliegenden Artikel werden Ergebnisse zur Cd-Diffusion in InGaAs-VPE-Schichten auf InP-Substrat vorgestellt. Die im geschlossenen Verfahren (Ampullendiffusion) realisierten Versuche ermoglichen es, die Thermodynamik des Diffusionssystems, welches aus den Proben, der Cd,As,-Quelle und In bzw. GaAs-Puder zur Verhinderung der Oberfliichenerosion besteht, zu diskutieren. Es werden Ergebnisse zu Cd-Konzentrationsprofilen, zur Diffusionstiefe, Ladungstragerbeweglichkeit und Aktivierungsenergie der Cd-Diffusion dargestellt. Die Entstehung von zwei Diffusionsfronten wiihrend einiger Experimente wird diskutiert.