A computer program for the calculation of transmission T and reflection R in dependence on wavelength A of a succession of layers with thicknesses d , and differences AEi of complex refractive index of the single layers relative to the bulk material value fi is tested. A theoretical description of the program is given, and the calculations are compared with transmission and reflection measurements at boron implanted silicon samples. In the case of highly damaged silicon layers optical transmission and reflection can be directly calculated on the basis of radiation damage profiles evaluated by RBS analysis and with the wavelength dependences of the optical parameters of crystalline and amorphous silicon. For smaller defect concentrations the optical profiles show only a qualitative agreement with defect concentration because of different efficiencies of various defect types on Rutherford backscattering and optical properties. Es wird ein Programm zur Berechnung von Transmissions-und Reflexionsspektren fiir Vielschichtsysteme mit Schichten der Dicken d , und Anderungen des komplexen Brechungsindex AT getestet. Eine theoretische Beschreibung des Programms wird gegeben, und die berechneten Spektren werden verglichen mit Ergebnissen von Transmissions-und Reflexionsmessungen an borimplantierten Siliziumproben. I m Falle stark zerstorter Si-Schichten konnen optische Transmission und Reflexion direkt auf der Grundlage der Strahlenschiidenprofile, die durch Rutherford-Ruckstreuung gewonnen wurden, und mit den Wellenliingenabhiingigkeiten der optischen Parameter fur kristallines und amorphes Silizium berechnet werden. Fur kleinere Defektkonzentrtstionen zeigen die Profile der optischen Konstanten nur eine qualitative Ubereinstimmung mit den Tiefenprofilen der Defektkonzentration. Als Ursache dafiir kann eine unterschiedliche Beeinflussung der optischen Parameter und der Ionenriickstreuung durch verschiedene Defekttypen angesehen werden.