Beiträge zum Ätzen von Galliumarsenid (II) Zur Kinetik der Auflösung von GaAs
✍ Scribed by Dr. R. Voigt; Prof. Dr. H. Neels
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 611 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Beitrage zurn &Zen von Galliumarsenid (11) Zur Hinetik der Auflosung von GaAs
Untersiicht wird die Kinetik der Auflosung von (1 11)-und {loo}-Ebenen von GaAs in NaClO-und HN0,-Losungen sowie im HF/CrO,-Losungssystem. Dazu werden Auflosungsgeschwindigkeiten bestimmt mid mit Hilfe der Arrhenius-Glcichung 711 = Ce -E A / R T Aktivieruiigsciicrgieii und Geschwindigkcitskonstanten a ngenahert crmittelt. Es ergeben sich Arihalt.spunkte fur den geschwindigkeitsbcstimmcriden Schritt (Diffusion-Konvektiori, heterogene chemische Reaktion). Bei der Auflosung von GaAs konneii jc nach Art des Mediums (Konzentrationen) Diffusion oder chemische Reaktion geschwindigkeitsbestimmend sein. In manchen Fallen liil3t sich atis der GroDe der <.~eschnindigkcitskonst,antcn das Erscheinen oder Nichterschciiien von h z g r u b e n verstehen. Die Auflosungsgeschwindigkcit w fur sich allein gestattet keine zuverlkssige Aassage ubrr die Wahrscheinlichkeit der Bildung von Atzgruben.
The kinetics of dissolution of ( 111) and (100) planes of GsAs in NaClO-a n d HN0,-solutions. and in the HF/CrO, solvent system is invcstigatcd. For t h a t reason dissolution rates are measured, a n d by means of tho Arrhenius equation w = Ce -E A / R y activation energies and rate constants approximately ascerhined.
Clues to the rate controlling step (diffusion -convcction, heterogeneous chomical reaction) are resulting. With the dissolut,ion of GaAs diffusion or chemical reaction can be rate controlling depending on the character of the medium (concentrations). I n some cases the appearance or rion-appearancc of etch pits is to be understood from the value of the rate constant. The dissolution rate w for itself only permits no reliable statement on the probability of t.he formation of etch pits.
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