Beitrag zur Züchtung von ZnSiP2 unter nichtstöchiometrischen Bedingungen aus der Gasphase in Auswertung mikroanalytischer Untersuchungen
✍ Scribed by Dr. rer. nat. H. Baum; Dr.-Ing. K. Winkler
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1978
- Tongue
- English
- Weight
- 786 KB
- Volume
- 13
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
No coin nor oath required. For personal study only.
✦ Synopsis
Beitrag zur Ziichtung von ZnSiP, unter nichtstochiometrischen Bedingungen aus der Gasphase in Auswertung mi kr o anal y t is cher Unt er suc hun g en Das aus der Gasphase abgeschiedene rontgenographisch einphasige und stochiometrisch zusammengesetzte ZnSiP, besitzt einen spezifischen Widerstand > lo3 Rcm und ortlich begrenzte Lumineszenzspektren. Die Existenz von Fremdphasen, vorhandene Inhomogenitaten sowie Stochiometrieabweichungen im ZnSiP, waren mogliche Ursachen fur diese physikalischen Eigenschaften. Es wurde versucht,, fremdphasenhaltiges ZnSiP, aus der Gasphase abzuscheiden. Die ZnSiP,-Synthese und -Kristallisation erfolgte deshalb mit nichtstochiometrischen Siliziumeinwaagen. Der Phasenaufbau der Kristalle wurde lichtmikroskopisch und mit Hilfe der Elektronenstrahlmikroanalyse untersucht. Bei unterstochiometrischer Siliziumeinwaage ( -50 molyo Si). enthalt die ZnSiP,-Matrix die binaren Phasen ZnP, und Zn,P,. Unter iiberstochiometrischen Bedingungen ( > 100 molyo Si) scheiden sich ZnSi,,P,-Schichten auf dem ZnSiP, ab. Eindeutige Unterschiede in den physikalischen Eigenschaften konnten zwischen stochiometrischem einphasigem und fremdphasenhaltigem ZnSiP, nicht nachgewiesen werden.
Rontgenographically identified single-phase ZnSiP, of stoichiometric composition which has been grown in gas phase has a specific resistance of > 103 Rcm and locally limited luminescence spectra.
The presence of foreign phases a.nd inhomogeneities as well as stoichiometric deviations in the ZnSiP, are possible causes of these physical properties.
An attempt was made t.o grow, in the gas phase, ZnSiP, cont,aining foreign phases. For this purpose. synthesis and crystallization of ZnSiP, were carried out using non-stoichiometric proportions of silicon. The phase composition of the crystals was investigated by means of light microscopy and electron-beam microanalysis. In the case of hypostoichiometric silicon amounts ( -50 mole% Si) the ZnSiP, matrix contains the binary phases ZnP, and Zn,P,. Under hyperstoichiometric conditions ( > 100 mole yo Si) ZnS,,P, layers are deposited on the ZnSiP,.
Distinct differences between the physical properties of stoichiometric single-phase ZnSiP, and ZnSiP, containing foreign phases could not be detected.