Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs-, GaP- und GaAsP-Schichten
✍ Scribed by E. Deml; J. Talpová
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 542 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Forschungsinstitut fiir
Nachrichtcntechnili .A. S. P o i ~o v ~ f'mg Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs-, Gap-und GaAsP-Schiehtenl) EY werden die Moglichkeiten der Grwinnung voii n -und p-leitenden OaAs-, GaAsPwid Gap-Schichten und von p-n-iibergiingen mit Hilfe decl chemischcri Trarisports nach dem Nahabstandsverfahren gepruft. Als entscheidend fur das cinkristallinie Wachstum der Schichten (bei Temperaturen von 800-1070 "C) wurde der Tcmperaturgradient zwischen Quelle mid Substrat festgcstellt. Er muB < 60 grd . em-'
scin. Die Abweichungen der Orientierung der Gap-und GaAsP-Schichten von der der Unterlage betrugen weniger als 1". Gleichzeitig mit dcr Abscheidung der Schichten wird das Substrat auf der Unterseitc angeiitzt, wodurch zusiitzlich As in die Schichten gelangen kann. Das fuhrt zu einer VerBnderung des Lumineszenzspektrums des p-wfjbergarigs. Es wurden verschiedeno Spektren aufgenommen. Tedoticrte Schichten wurden aus Tc-dotierten Quellen erhalten nnd drren elektrische Eigenschaften ermittelt. P-n-Oberglinge wurden mit Hilfo einer Zn-Dotierung gewonnen.
The possibilities of producing n-and p-type GaAs, GaAsP, and GaP monocrystalline layers and of p-n junctions by the low-distance technique of chemical transport are tested. The temperature gradient between source and substrate is found to be decisive for monocrystalline growth of films (temperature from 800 to 1070 "C). It should be not less than 60 degrese. The dcviations of orientation of the G a P and GaAsP layers from that of the substrato amounted to less than 1". Simultaneously with the deposition of layers the bottom side of the substrate is being etched, causing contamination of the layers by As. This leads to changes in the luminescence spectra of the p-n junctions. Some spectra are shown. Te-doped layers were produced from Te-doped sources and their electrical properties measured. P-n junctions were produced by Zn-doping.