An AES/XPS Study of Oxygen Involved Reactions on InSb
The oxidation of ion-etched InSb(ll0)-cleavage planes was investigated by means of AES and XPS, respectively. Whereas the sticking coefficient of oxygen at indium sites was found to reach a saturation value after slight ion bombardment, the oxygen uptake rate of antimony remains low (sticking probability in the lo-' range) with raising ion dose to a point where a drastical change in oxidation behaviour occurs at ion doses in the As -. range. Then indium and antimony are nearly simultaneously oxidized with sticking coefficients of roughly Cluster formation is discussed as one possible mechanism to explain the experimental findings. Adsorption experiments on disordered surfaces can contribute to a better understanding of surface reactions during gas phase growth of single crystals, since the in-growth situation of the top layer of the latter is far away from the ideal situation that is prepared by in situ cleaving only.
Die Oxidation einer ionenstrahlgetitzten InSb( llO)-Oberfliiche wurde mit den Methoden AES und XPS untersucht. Bereits eine schwache Oberfliichenstorung fiihrt zu einem Haftkoeffizienten von 0, an Indiumplatzen, der sich bei weiterer Ioneniitzung nur unbedeutend erhoht. Dagegen bleibt die Sauerstoffaufnahme von Antimon bei geringer Ionendosis zuniichst unabhiingig vom Grad der Storung (Haftkoeffizient x lo-'), bis bei einer Ionendosis von lo-, As cm-, eine deutliche Anderung im Oxidationsverhalten eintritt : Indium und Antimon werden nun simultan oxidiert, wobei der Haftkoeffizient von O2 bei etwa.
liegt. Die Bildung von Clustern wird a19 ein moglicher Mechanismus zur Erklarung dieses Verhaltens herangezogen. Adsorptionsexperimente an definiert gestorten Oberfliichen konnen zu einem besseren Verstiindnis von Oberfliichenreaktionen wiihrend Gas- phasen-Wachstumsprozessen von Einkristallen beitragen, da die kristallografische und topografische Situation der gerade wachsenden Schicht weit entfernt von den Bedingungen ist, die man bei der Priiparation durch in situ Spaltung erhiilt.